样品尺寸8inch及以下设备类型等离子增强化学气相沉积（PECVD）可生长薄膜SiO₂、SiNₓ最高工艺温度350℃薄膜均匀性
样品尺寸最大200mm（8inch）设备类型电感耦合等离子体CVD（ICPCVD）电极尺寸240mm晶圆台温控范围20~400℃/0~400℃电极温度范围5℃~
样品尺寸6inch圆硅片，兼容4inch设备类型低压化学气相沉积（LPCVD）炉管配置四管卧式LPCVD系统可沉积薄膜TEOS(SiO₂)、Poly-Si、Si
衬底尺寸2 ~4inch设备类型分子束外延（MBE）源炉数量12个源炉源炉材料Ga、In、Al、As、Sb、P、Bi、Si、Mg、掺杂等本底真空度5&
样品尺寸8inch及以下，兼容三维/多孔/高深宽比结构设备类型原子层沉积（ALD）沉积模式热型ALD+等离子体增强型ALD（PEALD）工艺温度范围RT~400
衬底尺寸2inch及以下设备类型金属有机物化学气相沉积（MOCVD）反应室配置CCS3×2紧密耦合喷淋头式生长材料Ga₂O₃、GaN、InP、GaA
