可曝光片源参数直径从几毫米到3英寸、厚度达35毫米的零件以及6英寸掩模板。该仪器可配备基板支架，以处理高达200毫米的晶片。
LDW 350/ 500 Mask Writer为基于130nm制版节点而研制的直写光刻设备，该设备基于先进的DLP数字光刻技术，采用高精度的精密运动系统、光学系统、微环境控制系统，同时具备实时聚焦、自动居中对位等功能，该设备可应用于制版、MEMS制造、物联网、移动设备、LED等领域。
样品尺寸8inch及以下设备类型等离子增强化学气相沉积（PECVD）可生长薄膜SiO₂、SiNₓ最高工艺温度350℃薄膜均匀性
样品尺寸最大200mm（8inch）设备类型电感耦合等离子体CVD（ICPCVD）电极尺寸240mm晶圆台温控范围20~400℃/0~400℃电极温度范围5℃~
样品尺寸6inch圆硅片，兼容4inch设备类型低压化学气相沉积（LPCVD）炉管配置四管卧式LPCVD系统可沉积薄膜TEOS(SiO₂)、Poly-Si、Si
衬底尺寸2 ~4inch设备类型分子束外延（MBE）源炉数量12个源炉源炉材料Ga、In、Al、As、Sb、P、Bi、Si、Mg、掺杂等本底真空度5&
样品尺寸8inch及以下，兼容三维/多孔/高深宽比结构设备类型原子层沉积（ALD）沉积模式热型ALD+等离子体增强型ALD（PEALD）工艺温度范围RT~400
衬底尺寸2inch及以下设备类型金属有机物化学气相沉积（MOCVD）反应室配置CCS3×2紧密耦合喷淋头式生长材料Ga₂O₃、GaN、InP、GaA
样品尺寸8inch及以下 8inch及以下 TableTEMP -20~40℃ SRFPower 0-2500
样品尺寸8inch及以下 8inch及以下 TableTEMP -20~40℃ SRFPower 400-25
样品尺寸8inch及以下 6inch及以下 TableTEMP -20~40℃ SRFPower 0-2200
