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薄膜段 Beneq TFS 200 ALD
样品尺寸8inch及以下，兼容三维/多孔/高深宽比结构设备类型原子层沉积（ALD）沉积模式热型ALD+等离子体增强型ALD（PEALD）工艺温度范围RT~400
产品详情
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样品尺寸 |
8inch及以下，兼容三维/多孔/高深宽比结构 |
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设备类型 |
原子层沉积（ALD） |
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沉积模式 |
热型ALD + 等离子体增强型ALD（PEALD） |
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工艺温度范围 |
RT ~ 400℃，控制精度±1℃ |
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载气 |
N₂ 或 Ar，质量流量控制器 |
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本底真空 |
< 5×10⁻³ Torr |
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压力监测范围 |
5×10⁻⁴ ~ 1000 mbar |
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阀门类型 |
Swagelok ALD专用阀门，耐热200℃ |
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源容器加热温度 |
RT ~ 250℃，精度±1℃ |
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可生长薄膜 |
HfO₂、Al₂O₃、TiO₂、TiN等 |