产品中心
热门产品
薄膜段 牛津仪器 PlasmaPro 100 PECVD
样品尺寸8inch及以下设备类型等离子增强化学气相沉积（PECVD）可生长薄膜SiO₂、SiNₓ最高工艺温度350℃薄膜均匀性
产品详情
|
样品尺寸 |
8inch及以下 |
|
设备类型 |
等离子增强化学气相沉积（PECVD） |
|
可生长薄膜 |
SiO₂、SiNₓ |
|
最高工艺温度 |
350℃ |
|
薄膜均匀性 |
≤±5% |
|
等离子体源 |
射频等离子体增强 |
|
衬底加热方式 |
电阻式加热 |
|
工艺气体 |
SiH₄、NH₃、N₂O、N₂、Ar等 |
|
应用领域 |
钝化层、掩膜层、介质层 |
|
控制方式 |
全自动计算机控制 |