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薄膜段 牛津仪器 PlasmaPro 100 Cobra ICPCVD
样品尺寸最大200mm（8inch）设备类型电感耦合等离子体CVD（ICPCVD）电极尺寸240mm晶圆台温控范围20~400℃/0~400℃电极温度范围5℃~
产品详情
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样品尺寸 |
最大200mm（8inch） |
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设备类型 |
电感耦合等离子体CVD（ICPCVD） |
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电极尺寸 |
240mm |
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晶圆台温控范围 |
20~400℃ / 0~400℃ |
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电极温度范围 |
5℃ ~ 400℃ |
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可沉积薄膜 |
SiO₂、Si₃N₄、SiON |
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等离子体源 |
高密度电感耦合等离子体 |
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工艺特点 |
低温高质量低损伤介质薄膜沉积 |
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特殊功能 |
原位等离子体清洗功能 |
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应用领域 |
高深宽比结构保形沉积 |