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薄膜段 RIBER MBE 412 Cluster
衬底尺寸2 ~4inch设备类型分子束外延（MBE）源炉数量12个源炉源炉材料Ga、In、Al、As、Sb、P、Bi、Si、Mg、掺杂等本底真空度5&
产品详情
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衬底尺寸 |
2 ~ 4 inch |
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设备类型 |
分子束外延（MBE） |
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源炉数量 |
12个源炉 |
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源炉材料 |
Ga、In、Al、As、Sb、P、Bi、Si、Mg、掺杂等 |
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本底真空度 |
5 × 10⁻¹¹ Torr |
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衬底最高温度 |
800℃ |
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温度均匀性 |
≤ ±3℃（4inch） |
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样品转移 |
超高真空下全自动样品转移 |
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系统配置 |
Cluster集群式系统 |
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应用领域 |
III-V族化合物半导体外延、量子阱、超晶格 |