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薄膜段 AIXTRON CCS 3×2 Ga₂O₃ MOCVD
衬底尺寸2inch及以下设备类型金属有机物化学气相沉积（MOCVD）反应室配置CCS3×2紧密耦合喷淋头式生长材料Ga₂O₃、GaN、InP、GaA
产品详情
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衬底尺寸 |
2 inch及以下 |
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设备类型 |
金属有机物化学气相沉积（MOCVD） |
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反应室配置 |
CCS 3×2 紧密耦合喷淋头式 |
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生长材料 |
Ga₂O₃、GaN、InP、GaAs、InSb、GaInNAs、II-VI等 |
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Ga₂O₃生长速率 |
> 3 μm/h |
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Ga₂O₃表面粗糙度 |
≤1.0 nm（5μm×5μm AFM） |
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加热系统 |
钨丝加热，三温区控制 |
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最高加热温度 |
1400℃ |
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托盘-喷淋头间距 |
5 mm ~ 25 mm 可调 |
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监测功能 |
实时晶圆表面温度、翘曲度监测 |