采用电子束光刻 (EBL) 工艺，4 英寸 InP 基底制备高精度直壁光栅。可精准调控光栅周期、深度与侧壁角度，光刻图形可直接用于光学测试，亦可作为掩模经干法刻蚀实现 InP 材料图形转移，面向化合物半导体集成光子器件开发。

✅ 产品特点

・光栅侧壁陡直，轮廓可控，衍射性能稳定

・边缘粗糙度低

・适配 4 英寸 InP 半导体晶圆工艺

・光栅周期、占空比、深度参数支持定制

・大面积光栅阵列均匀性优良

✅ 技术优势

・EBL 无掩膜直写，快速迭代样品方案

・纳米级尺寸控制精度，工艺窗口稳定

・工艺兼容 InP ICP 干法刻蚀图形转移流程

・覆盖亚微米至微米级周期光栅加工能力

・支持局部阵列与整片晶圆图形制备

✅ 应用场景

・InP 光子芯片耦合光栅、波导衍射元件

・光通信波长滤波、色散调控器件

・InP 激光器谐振光栅、外腔反馈光栅

・红外光谱芯片、片上光传感器件

・集成光电子