产品详情
- 可曝光片源参数
- 直径从几毫米到3英寸、厚度达35毫米的零件以及6英寸掩模板。该仪器可配备基板支架，以处理高达200毫米的晶片。虽然该仪器可以设置为在 20、50 或 100 keV 下运行，但它通常设置为 100 keV 运行（即在 100 kV 的加速电压下，每个电子的平均能量为 100 keV）
- 拼接精度：10nA下，≤ ±8nm @ 200um 写场，≤ ±20nm @ 1000um 写场
- 100kV 下，最大写场为1048um x 1048um，且写场大小连续可调
- 最小束斑尺寸：9nm @100KV（理论计算）
- 可实现全自动设置和操作，包括电子枪预热、对焦调整、像散调整、偏转校正 、自动上下换片等
设备型号
电子束曝光设备
电子枪
电压/kV
20~100
束流/nA
350
电子束
束斑/nm
3
样品台
速度/mm/s
60
尺寸/in
8
精度
线宽/nm
<8
套刻/nm
±5
拼接/nm
±8
图发器
写场/um
1048*1048
频率/MHz
125