电子束光刻设备
EBPG5200设备性能可曝光片源参数直径从几毫米到3英寸、厚度达35毫米的零件以及6英寸掩模板。该仪器可配备基板支架，以处理高达200毫米的晶片。
产品详情
电子束曝光设备性能
- 可曝光片源参数
- 直径从几毫米到3英寸、厚度达35毫米的零件以及6英寸掩模板。该仪器可配备基板支架，以处理高达200毫米的晶片。虽然该仪器可以设置为在 20、50 或 100 keV 下运行，但它通常设置为 100 keV 运行（即在 100 kV 的加速电压下，每个电子的平均能量为 100 keV）
- 拼接精度：10nA下，≤ ±8nm @ 200um 写场，≤ ±20nm @ 1000um 写场
- 100kV 下，最大写场为1048um x 1048um，且写场大小连续可调
- 最小束斑尺寸：9nm @100KV（理论计算）
- 可实现全自动设置和操作，包括电子枪预热、对焦调整、像散调整、偏转校正 、自动上下换片等
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设备型号 |
电子束曝光设备 |
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电子枪 |
电压/kV |
20~100 |
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束流/nA |
350 |
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电子束 |
束斑/nm |
3 |
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样品台 |
速度/mm/s |
60 |
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尺寸/in |
8 |
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精度 |
线宽/nm |
<8 |
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套刻/nm |
±5 |
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拼接/nm |
±8 |
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图发器 |
写场/um |
1048*1048 |
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频率/MHz |
125 |
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